低壓MOS管 85N03 PDFN5X6-8L 85A/30V場效應(yīng)管 國產(chǎn)MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-15 14:04:34點(diǎn)擊：6次

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  低壓MOS管 85N03 PDFN5X6-8L 85A/30V場效應(yīng)管 國產(chǎn)MOSFET

  
  

  
  

  85A/30V場效應(yīng)管 85N03的引腳配置圖：

  

  
  

  
  

  85A/30V場效應(yīng)管 85N03的特點(diǎn)：

  • V_DS=30V

  • I_D=85A

  • R_DS(ON)＜4mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：PDFN5X6-8L

  
  

  
  

  85A/30V場效應(yīng)管 85N03的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  85A/30V場效應(yīng)管 85N03的極限參數(shù)：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	85	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	68
  IDM	漏極電流-脈沖	216
  PD	總耗散功率 TC=25℃	45	W
  	總耗散功率 TA=25℃	5
  EAS	單脈沖雪崩能量	650	mJ
  IAS	雪崩電流	53.8	A
  TSTG	存儲溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~175
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	2.8

  
  

  
  

  85A/30V場效應(yīng)管 85N03的電特性：
  

  (如無特殊要求，T_j=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	30	33		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A		2.3	4	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A		4.3	6
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1.2	1.6	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=24V，VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=24V，VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導(dǎo)	20.08	26.5		S
  Qg	柵極電荷		70		nC
  Qgs	柵源電荷密度		12
  Qgd	柵漏電荷密度		17
  Ciss	輸入電容		3500		pF
  Coss	輸出電容		386
  Crss	反向傳輸電容		358
  td(on)	開啟延遲時間		11		ns
  tr	開啟上升時間		120
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		25
  tf	開啟下降時間		60

  
  

  
  

  85A/30V場效應(yīng)管 85N03的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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