150P04 TO-252 低壓40VPMOS管 電源用MOS管 PMOS管150P04
低壓40VPMOS管 150P04的主要參數(shù)：
電壓 VDS：-40V
電流 ID：-150A
內(nèi)阻 RDS(ON)＜3.8mΩ@VGS=-10V(Type：3.1mΩ)
低壓40VPMOS管 150P04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -150 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -110 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -540 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 1020 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -80 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 350 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.9 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
低壓40VPMOS管 150P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -44 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A | 3.1 | 3.8 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-11A | 4.2 | 5.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.2 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 236 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 26 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 44 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 13276 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1900 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 1470 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 32 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 34 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 136 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 40 |
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