30VPMOS管 35P03 PDFN3X3-8L 貼片式場(chǎng)效應(yīng)管 低壓PMOSFET
30VPMOS管 35P03的主要參數(shù)：
電壓 VDS：-30V
電流 ID：-35A
內(nèi)阻 RDS(ON)＜17mΩ@VGS=-10V(Type：10mΩ)
30VPMOS管 35P03的應(yīng)用領(lǐng)域：
鋰電保護(hù)
手機(jī)快充
30VPMOS管 35P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -35 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -20 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -100 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 5.4 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 24 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
30VPMOS管 35P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 11 | 14 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 17 | 24 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2070 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 273 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 246 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 9 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 13 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 48 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 20 |
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