30VP溝道MOS管 60P03 PDFN3X3-8L 極小封裝MOS管 低壓MOS

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-13 14:22:09點擊：6次

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  30VP溝道MOS管 60P03 PDFN3X3-8L 極小封裝MOS管 低壓MOS

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的引腳排列圖：

  

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的特點：
  

  • V_DS=-30V

  • I_D=-60A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=-10V

  • 封裝：PDFN3X3-8L

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的應用：

  • 鋰電池保護

  • 手機快充
    

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的極限參數(shù)：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	-30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) (TC=25℃)	-60	A
  	漏極電流-連續(xù) (TC=100℃)	-32
  IDM	漏極電流-脈沖	-200
  EAS	單脈沖雪崩能量	125	mJ
  IAS	雪崩電流	-50	A
  PD	總耗散功率 (TC=25℃)	38	W
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結溫	-55~150
  RθJA	結到環(huán)境的熱阻	65	℃/W
  RθJC	結到管殼的熱阻	3.3

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	-30	-32		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-10A		6.8	8	mΩ
  	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-8A		9.3	13
  VGS(th)	柵極開啟電壓	-1.2	-1.6	-2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃			-1	μA
  	零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃			-5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極總電荷		30		nC
  Qgs	柵源電荷密度		10
  Qgd	柵漏電荷密度		10.4
  Ciss	輸入電容		3448		pF
  Coss	輸出電容		508
  Crss	反向傳輸電容		421
  td(on)	開啟延遲時間		9.4		ns
  tr	開啟上升時間		10.2
  td(off)	關斷延遲時間		117
  tf	開啟下降時間		24

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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