100V/5A場效應管 12N10 低導通電阻MOS管 MOS管12N10

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-11 15:15:32點擊：6次

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  100V/5A場效應管 12N10 低導通電阻MOS管 MOS管12N10

  
  

  
  

  低導通電阻MOS管 12N10的管腳圖：

  

  

  
  

  
  

  低導通電阻MOS管 12N10的特點：

  • V_DS=100V

  • I_D=5A

  • R_DS(ON)＜140mΩ@V_GS=4.5V

  • 封裝：TO-251、TO-252
    

  
  

  
  

  低導通電阻MOS管 12N10的應用：

  • 電池保護

  • 負載開關

  • 不間斷電源

  • LED 照明

  
  

  
  

  低導通電阻MOS管 12N10的極限值：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	100	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	12	A
  IDM	漏極電流-脈沖	24
  PD	總耗散功率 TC=25℃	17	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	1.2	mJ
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	7.4

  
  

  
  

  低導通電阻MOS管 12N10的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5A		110	140	mΩ
  	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=3A		160	180
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1.2	1.5	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極總電荷		4.3		nC
  Qgs	柵源電荷密度		1.5
  Qgd	柵漏電荷密度		1.1
  Ciss	輸入電容		206.1		pF
  Coss	輸出電容		28.9
  Crss	反向傳輸電容		1.4
  td(on)	開啟延遲時間		14.7		ns
  tr	開啟上升時間		3.5
  td(off)	關斷延遲時間		20.9
  tf	開啟下降時間		2.7

  
  

  
  

  低導通電阻MOS管 12N10的封裝外形尺寸圖：

  1、TO-252：
  

  

  
  

  2、TO-251：

  

  
  

  
  

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