低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10 TO-252 貼片MOS管 國(guó)產(chǎn)替代MOSFET

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-11 14:28:07點(diǎn)擊：6次

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  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10 TO-252 貼片MOS管 國(guó)產(chǎn)替代MOSFET

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10的特點(diǎn)：

  • V_DS=-100V

  • I_D=-50A

  • R_DS(ON)＜52mΩ@V_GS=-10V

  • 封裝：TO-252
    

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10的應(yīng)用：

  • 無(wú)刷馬達(dá)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • UPS 不間斷電源
    

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10的符號(hào)圖：

  

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10的極限參數(shù)：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	-100	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	-50	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	-28
  IDM	漏極電流-脈沖	-150
  PD	總耗散功率 TC=25℃	140	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	87	mJ
  IAS	雪崩電流	-35	A
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62.5	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	1.1

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10的電特性：

  (除非有特殊要求，T_J=25℃)
  

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	-100			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A		40	52	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A		44	62
  VGS(th)	柵極開啟電壓	-1	-1.6	-2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流			-1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極總電荷		40		nC
  Qgs	柵源電荷密度		7.8
  Qgd	柵漏電荷密度		8.6
  Ciss	輸入電容		2120		pF
  Coss	輸出電容		194
  Crss	反向傳輸電容		13
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		13		ns
  tr	開啟上升時(shí)間		39
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		100.1
  tf	開啟下降時(shí)間		105.3

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P10的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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