60VP溝道MOS管 50P06 PMOS 低壓場(chǎng)效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-05 10:18:08點(diǎn)擊：6次

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  60VP溝道MOS管 50P06 PMOS 低壓場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P06的特點(diǎn)：
  

  • V_DS=-60V

  • I_D=-50A

  • R_DS(ON)＜-18mΩ@V_GS=-10V

  • 封裝：TO-252、TO-220、TO-263
    

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P06的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P06的符號(hào)圖：

  

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P06的極限參數(shù)：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	-60	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù)	-50	A
  	漏極電流-連續(xù) (100℃)	-42.3
  IDM	漏極電流-脈沖	-260
  PD	總耗散功率	130	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	722	mJ
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~175
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	1.15	℃/W

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P06的電特性：

  （如無特殊說明，T_C=25℃）

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	-60			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A		13	18	mΩ
  VGS(th)	柵極開啟電壓	-2	-2.6	-3.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=-60V,VGS=0V			-1	μA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極總電荷		75		nC
  Qgs	柵源電荷密度		16
  Qgd	柵漏電荷密度		19
  Ciss	輸入電容		5814		pF
  Coss	輸出電容		483
  Crss	反向傳輸電容		234
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		18		ns
  tr	開啟上升時(shí)間		20
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		55
  tf	開啟下降時(shí)間		35

  
  

  
  

  低壓場(chǎng)效應(yīng)管 50P06的封裝外形尺寸：

  1、TO-252：

  

  
  

  
  

  2、TO-220：

  

  
  

  3、TO-263：
  

  

  
  

  
  

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