60V/50A場效應(yīng)管 50N06 貼片低內(nèi)阻MOS 國產(chǎn)MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-02 11:22:14點(diǎn)擊：6次

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  60V/50A場效應(yīng)管 50N06 貼片低內(nèi)阻MOS 國產(chǎn)MOSFET

  
  

  
  

  貼片低內(nèi)阻MOS 50N06的符號圖：

  
  

  
  

  
  

  貼片低內(nèi)阻MOS 50N06的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  貼片低內(nèi)阻MOS 50N06的極限值：
  

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	60	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	58	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	30
  IDM	漏極電流-脈沖	90
  EAS	單脈沖雪崩能量	39.2	mJ
  IAS	雪崩電流	38	A
  PD	總耗散功率 TC=25℃	45	W
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	2.8

  
  

  
  

  貼片低內(nèi)阻MOS 50N06的電特性：

  （如無特殊說明，T_J=25℃）

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	60	65		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A		11	16	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A		16	20
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1.2	1.8	2.5	V
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導(dǎo)		45		S
  Qg	柵極總電荷		19.3		nC
  Qgs	柵源電荷密度		7.1
  Qgd	柵漏電荷密度		7.6
  Ciss	輸入電容		2423		pF
  Coss	輸出電容		145
  Crss	反向傳輸電容		97
  td(on)	開啟延遲時間		7.2		ns
  tr	開啟上升時間		50
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		36.4
  tf	開啟下降時間		7.6

  
  

  
  

  貼片低內(nèi)阻MOS 50N06的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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