MOSFET型號(hào)大全 15N02 SOP-8 貼片MOS管 15A場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-16 09:30:21點(diǎn)擊：6次

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  MOSFET型號(hào)大全 15N02 SOP-8 貼片MOS管 15A場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的管腳排列圖：

  

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的特點(diǎn)：

  • V_DS=20V

  • I_D=15A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=4.5V

  • 封裝：SOP-8

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的極限參數(shù)：

  (如無(wú)特殊要求，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	20	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±12
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	15	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	12
  IDM	漏極電流-脈沖	45
  PD	總耗散功率 TC=25℃	31	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	36	mJ
  IAS	雪崩電流	53.8	A
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~175
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	4.84	℃/W

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的電特性：

  (如無(wú)特殊要求，T_j=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	20	22		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=25A		6.3	8	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=10A		8.8	13
  VGS(th)	柵極開(kāi)啟電壓	0.4	0.7	1.1	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=20V，VGS=0V			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		19		nC
  Qgs	柵源電荷密度		3
  Qgd	柵漏電荷密度		6.4
  Ciss	輸入電容		1458		pF
  Coss	輸出電容		238
  Crss	反向傳輸電容		212
  td(on)	開(kāi)啟延遲時(shí)間		10		ns
  tr	開(kāi)啟上升時(shí)間		21
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		39
  tf	開(kāi)啟下降時(shí)間		19

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的參數(shù)特性曲線圖：

  

  

  
  

  
  

  MOSFET型號(hào)大全 15N02的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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