N溝道MOS管 3400 低壓MOS管 3400 國產(chǎn)場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-09 16:21:17點擊：6次

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  N溝道MOS管 3400 低壓MOS管 3400 國產(chǎn)場效應(yīng)管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 3400的引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 3400的特點：

  • V_DS=30V

  • I_D=6.2A

  • R_DS(ON)＜25mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 3400的應(yīng)用：

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 3400的極限參數(shù)：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±12
  ID	漏極電流-連續(xù) TA=25℃	6.2	A
  	漏極電流-連續(xù) TA=70℃	4.9
  IDM	漏極電流-脈沖	20
  PD	總耗散功率 TA=25℃	1	W
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	125	℃/W

  
  

  
  

  N溝道MOS管 3400的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)
  

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	30			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A		21	25	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A		23	31
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=1A		30	49
  VGS(th)	柵極開啟電壓	0.5		1.2	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導(dǎo)		25		S
  Qg	柵極總電荷		11.5		nC
  Qgs	柵源電荷密度		1.6
  Qgd	柵漏電荷密度		2.9
  Ciss	輸入電容		530		pF
  Coss	輸出電容		130
  Crss	反向傳輸電容		36
  td(on)	開啟延遲時間		5		ns
  tr	開啟上升時間		47
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		26
  tf	開啟下降時間		8

  
  

  
  

  N溝道MOS管 3400的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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