100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10 SOT-23 貼片MOS管 國產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管替代

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-05 10:47:47點(diǎn)擊：6次

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  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10 SOT-23 貼片MOS管 國產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管替代

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10的管腳排列圖：

  

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10的特點(diǎn)：

  • V_DS=100V

  • I_D=2.8A

  • R_DS(ON)＜320mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT-23
    

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10的極限參數(shù)：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	100	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TA=25℃	2.8	A
  	漏極電流-連續(xù) TA=70℃	1
  IDM	漏極電流-脈沖	5
  PD	總耗散功率 TA=25℃	1	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	722	mJ
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	125	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	80

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10的電特性：

  （如無特殊說明，T_J=25℃）

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1A		260	310	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A		270	320
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1	1.5	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導(dǎo)		2.4		S
  Qg	柵極總電荷		9.7	13.6	nC
  Qgs	柵源電荷密度		1.6	2.2
  Qgd	柵漏電荷密度		1.7	2.4
  Ciss	輸入電容		508	711	pF
  Coss	輸出電容		29	41
  Crss	反向傳輸電容		16.4	23
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		1.6	3.2	ns
  tr	開啟上升時(shí)間		19	34
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		13.6	27
  tf	開啟下降時(shí)間		19	38

  
  

  
  

  100V場(chǎng)效應(yīng)管 3N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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