場效應(yīng)管5N06 SOT-23 N溝道MOS管 5N06 MOS管封裝引腳圖

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-11 11:14:27點擊：6次

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  場效應(yīng)管5N06 SOT-23 N溝道MOS管 5N06 MOS管封裝引腳圖

  
  

  
  

  N溝道MOS管 5N06的特點：

  • V_DS=60V

  • I_D=5A

  • R_DS(ON)＜38mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT-23
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 5N06的應(yīng)用：

  • 電池保護

  • 負載開關(guān)

  • 汽車照明

  
  

  
  

  N溝道MOS管 5N06的封裝引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 5N06的極限值：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)
  

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	60	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TA=25℃	5.8	A
  	漏極電流-連續(xù) TA=70℃	3.5
  IDM	漏極電流-脈沖	18
  PD	總耗散功率 TA=25℃	1.5	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	22	mJ
  IAS	雪崩電流	21	A
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	85	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	25

  
  

  
  

  N溝道MOS管 5N06的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)
  

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	60			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4A		29	38	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=2A		35	50
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1	1.76	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=48V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=48V,VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導(dǎo)		28.3		S
  Qg	柵極總電荷		19		nC
  Qgs	柵源電荷密度		2.6
  Qgd	柵漏電荷密度		4.1
  Ciss	輸入電容		1027		pF
  Coss	輸出電容		65
  Crss	反向傳輸電容		46
  td(on)	開啟延遲時間		3		ns
  tr	開啟上升時間		34
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		23
  tf	開啟下降時間		6

  
  

  
  

  N溝道MOS管 5N06的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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