20V場效應(yīng)管 GM2717 P溝道MOS管 MOSFET選型

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-01-11 15:31:52點擊：6次

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  20V場效應(yīng)管 GM2717 P溝道MOS管 MOSFET選型

  
  

  
  

  20V場效應(yīng)管 GM2717的管腳排列圖：

  

  
  

  
  

  20V場效應(yīng)管 GM2717的極限參數(shù)：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-20	V
  柵極-源極電壓	VGS	±8
  漏極電流-連續(xù)	ID	-7	A
  漏極電流-脈沖	IDM	-18
  總耗散功率 (TA=25℃)	PD	1400	mW
  結(jié)溫	TJ	150	℃
  存儲溫度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  20V場效應(yīng)管 GM2717的電特性：

  (如無特殊說明，T_A=25℃)

  參數(shù)	符號	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	-20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-0.4		-1.4
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			-1.5
  零柵壓漏極電流	IDSS			-1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導通電阻 ID=-7A,VGS=-4.5V	RDS(ON)		16	18	mΩ
  靜態(tài)漏源導通電阻 ID=-3A,VGS=-2.5V			20	22
  輸入電容	Ciss		2000		pF
  輸出電容	Coss		800
  開啟時間	t(on)		20		ns
  關(guān)斷時間	t(off)		300

  
  

  
  

  20V場效應(yīng)管 GM2717的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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