MOS管80N08 低內阻MOS管 80N08 80V/80A場效應管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-01-14 10:55:18點擊：6次

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  MOS管80N08 低內阻MOS管 80N08 80V/80A場效應管

  
  

  
  

  低內阻MOS管 80N08的應用：

  • 電池保護

  • 負載開關

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  低內阻MOS管 80N08的管腳排列圖：

  

  
  

  
  

  低內阻MOS管 80N08的極限參數：

  （如無特殊說明，T_C=25℃）
  

  符號	參數	數值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	80	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù)	80	A
  IDM	漏極電流-脈沖	170
  EAS	單脈沖雪崩能量	57.8	mJ
  IAS	雪崩電流	34	A
  PD	總耗散功率	56	W
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結溫	-55~150
  RθJA	熱阻，結到環(huán)境	62	℃/W
  RθJC	熱阻，結到管殼	2.2

  
  

  
  

  低內阻MOS管 80N08的電特性：

  （如無特殊說明，T_j=25℃）

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	80			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導通能夠電阻 (VGS=10V,ID=20A)		4.8	6.5	mΩ
  	靜態(tài)漏源導通能夠電阻 (VGS=4.5V,ID=20A)		6.3	8.5
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1		2.5	V
  gfs	正向跨導		75		S
  Qg	柵極總電荷		40		nC
  Qgs	柵源電荷密度		7.2
  Qgd	柵漏電荷密度		6.5
  td(on)	關斷延遲時間		8.3		ns
  tr	開啟上升時間		4.2
  td(off)	關斷延遲時間		36
  tf	開啟下降時間		6.9
  Ciss	輸入電容		2860		pF
  Coss	輸出電容		410
  Crss	反向傳輸電容		38

  
  

  
  

  低內阻MOS管 80N08的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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