MOS管50N10 國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10 100V場(chǎng)效應(yīng)管選型

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-01-09 14:17:23點(diǎn)擊：6次

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  MOS管50N10 國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10 100V場(chǎng)效應(yīng)管選型

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10的管腳排列圖：
  

    

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10的特點(diǎn)：

  • V_DS=100V

  • I_D=50A

  • R_DS(ON)＜22mΩ @ V_GS=10V

  • 封裝形式：TO-252、TO-220
    

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10的極限參數(shù)：

  （如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃）

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	100	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù)	50	A
  IDM	漏極電流-脈沖	70
  PD	功耗	85	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	256	mJ
  TJ,Tstg	工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	-55~175	℃

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10的電特性：

  （如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃）

  符號(hào)	參數(shù)	MIN 值	TYP 值	MAX 值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100			V
  IDSS	零柵壓漏極電流			1	μA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  VGS(th)	柵極開(kāi)啟電壓	1		3	V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (VGS=10V,ID=20A)		24	28	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (VGS=4.5V,ID=10A)		28	30
  gfs	正向跨導(dǎo)		15		S
  Ciss	輸入電容		2000		pF
  Coss	輸出電容		300
  Crss	反向傳輸電容		250
  Qg	柵極總電荷		39		nC
  Qgs	柵源電荷密度		8
  Qgd	柵漏電荷密度		12

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 50N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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