可控硅T810 8A雙向可控硅 T810 國(guó)產(chǎn)可控硅

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-02 11:21:41點(diǎn)擊：6次

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  可控硅T810 8A雙向可控硅 T810 國(guó)產(chǎn)可控硅

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 T810的應(yīng)用領(lǐng)域：

          T810可控硅應(yīng)用于：加熱控制器、馬達(dá)調(diào)速控制器、麻將機(jī)、攪拌機(jī)、直發(fā)器、面包機(jī)等家用電器。

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 T810的引腳圖：

     

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 T810的特點(diǎn)：
  

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結(jié)溫高，換向能力強(qiáng)

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-220F、TO-252
    

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 T810的極限值(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM --------------------------------------------  600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) -----------------------------------------------------  8A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM --------------------------------------------------  80A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt -------------------------------------------------  50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM -----------------------------------------------------------  4A

  • 門極平均功率 P_G(AV) --------------------------------------------------------  1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG ---------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j -------------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 T810的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤10	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤15	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤25
  	擎住電流 II	≤30
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥40	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55	V

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 T810的型號(hào)、標(biāo)識(shí)說(shuō)明：

  

  
  

  
  

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