MOS管3400的參數(shù) GM3400 N溝道MOS管 30V場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-03 11:25:42點(diǎn)擊：6次

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  MOS管3400的參數(shù) GM3400 N溝道MOS管 30V場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM3400的描述：

          3400是一個(gè)5A30V的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，3400適用于電池保護(hù)線路、功率開(kāi)關(guān)電路、脈沖調(diào)制電路等。

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM3400的特點(diǎn)：

  • 高ESD能力

  • 開(kāi)關(guān)速度快

  • 低功耗

  • 封裝形式：SOT-23
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM3400的引腳圖：
  

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM3400的極限值：

  • 漏極-源極電壓 B_VDSS ------------------------------------------------  30V

  • 柵極-源極電壓 V_GS ---------------------------------------------------  ±12V

  • 漏極電流-連續(xù) I_D -----------------------------------------------------  5A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM ---------------------------------------------------  18A

  • 總耗散功率(T_A=25℃) P_D --------------------------------------------  1400mW

  • 結(jié)溫 T_j -----------------------------------------------------------------  150℃

  • 存儲(chǔ)溫度 T_stg ----------------------------------------------------------  -55~+150℃
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM3400的電特性：

  如無(wú)特殊說(shuō)明，T_A=25℃

  特性參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	30			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	0.6		2
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD		0.7	1
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=5A,VGS=10V	RDS(ON)		35	41	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=3.5A,VGS=4.5V			40	45
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=3A,VGS=2.5V			50	55
  輸入電容	Ciss		545		pF
  輸出電容	Coss		66
  開(kāi)啟時(shí)間	t(on)		9.6		ns
  關(guān)斷時(shí)間	t(off)		39

  
  

  
  

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