BT132 國產(chǎn)可控硅 BT132 TO-92 雙向可控硅
國產(chǎn)可控硅 BT132的特點(diǎn):
NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件
P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離
臺(tái)面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:TO-92
國產(chǎn)可控硅 BT132的引腳圖:
國產(chǎn)可控硅 BT132的應(yīng)用領(lǐng)域:
BT132雙向可控硅應(yīng)用于:加熱控制器、彩燈控制器、攪拌機(jī)、面包機(jī)、卷發(fā)器、電風(fēng)扇調(diào)速器。
國產(chǎn)可控硅 BT132的極限參數(shù)(TCASE=25℃):
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDRM/VRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 | 600/800 | V |
IT(RMS) | 通態(tài)均方根電流 | 2 | A |
ITSM | 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 | 15 | |
I2t | I2t 值 | 2.6 | A2s |
dIT/dt | 通態(tài)電流臨界上升率 I-II-III | 50 | A/μs |
通態(tài)電流臨界上升率 IV | 10 | ||
IGM | 門極峰值電流 | 1 | A |
PGM | 門極峰值功率 | 4 | W |
PG(AV) | 門極平均功率 | 0.5 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -40~+150 | ℃ |
Tj | 工作結(jié)溫 | -40~+125 |
國產(chǎn)可控硅 BT132的電特性:
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
D | E | |||
IGT | 門極觸發(fā)電流 I-II-III | ≤4 | ≤5 | mA |
門極觸發(fā)電流 IV | ≤7 | ≤10 | ||
VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | |
VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | ||
IH | 維持電流 | ≤6 | ≤10 | mA |
IL | 擎住電流 I-III-IV | ≤10 | ≤15 | |
擎住電流 II | ≤15 | ≤20 | ||
dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥10 | ≥20 | V/μs |
VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V |
國產(chǎn)可控硅 BT132的熱阻:
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
Rth(j-c) | 結(jié)到管殼的熱阻(AC) | 60 | ℃/W |
Rth(j-a) | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 150 |
國產(chǎn)可控硅 BT132的封裝外形尺寸:
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