P溝道MOS管 EMF44P03J SOT-23 小封裝場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-09-09 10:23:30點(diǎn)擊：6次

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  P溝道MOS管 EMF44P03J SOT-23 小封裝場效應(yīng)管

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P03J的引腳圖：

  

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P03J的極限值(除非特殊說明，T_A=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：-30V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±12V

  • 漏極電流-連續(xù) (T_A=25℃) I_D：-4A

  • 漏極電流-連續(xù) (T_A=70℃) I_D：-3A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：-16A

  • 功耗 (T_A=25℃) P_D：1.25W

  • 功耗 (T_A=70℃) P_D：0.8W

  • 結(jié)溫和存儲溫度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P03J的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓 VGS=0V,ID=-250μA	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓 VDS=VGS,ID=-250μA	VGS(th)	-0.3	-0.75	-1.2
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-4.5A	RDS(ON)		32	38	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A			39	44
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-3A			60	75
  正向跨導(dǎo) VDS=-5V,ID=-4A	gfs		13		S
  輸入電容 VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz	Ciss		1170		pF
  輸出電容 VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz	Coss		185
  反向傳輸電容 VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz	Crss		137
  柵源電荷密度 VDS=-15V,VGS=-4.5V,ID=-4A	Qgs		3.2		nC
  柵漏電荷密度 VDS=-15V,VGS=-4.5V,ID=-4A	Qgd		4.1
  開啟延遲時間 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	td(on)		10		nS
  開啟上升時間 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	tr		10
  關(guān)斷延遲時間 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	td(off)		45
  開啟下降時間 VDS=-15V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RG=6Ω	tf		15

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P03J的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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