EMD04N08E TO-220 N溝道MOS管 杰力場效應管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-09-08 16:58:19點擊：6次

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  EMD04N08E TO-220 N溝道MOS管 杰力場效應管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的極限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：80V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±30V

  • 漏極電流-連續(xù) (T_C=25℃) I_D：160A

  • 漏極電流-連續(xù) (T_C=100℃) I_D：126A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：540A

  • 雪崩電流 I_AS：90A

  • 雪崩能量 E_AS：405mJ

  • 重復雪崩能量 E_AR：202mJ

  • 功耗 (T_C=25℃) P_D：250W

  • 功耗 (T_C=100℃) P_D：100W

  • 結(jié)溫和存儲溫度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的電特性(除非有特殊要求，T_J=25℃)：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	80			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	2	3	4
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±30V	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=64V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=60V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=50A	RDS(ON)		4.1	4.6	mΩ
  正向跨導	gfs		60		S
  輸入電容	Ciss		5548		pF
  輸出電容	Coss		557
  反向傳輸電容	Crss		29
  柵源電荷密度	Qgs		38		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		8.5
  開啟延遲時間	td(on)		80		nS
  開啟上升時間	tr		150
  關斷延遲時間	td(off)		100
  開啟下降時間	tf		170

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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