EMB14P03G SOP-8 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 貼片MOS管
貼片MOS管 EMB14P03G的引腳圖:
貼片MOS管 EMB14P03G的極限值(除非有特殊要求,TA=25℃):
漏極-源極電壓 BVDSS:-30V
柵極-源極電壓 VGS:±25V
漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) ID:-12A
漏極電流-連續(xù)(TA=100℃) ID:-9A
漏極電流-脈沖 IDM:-48A
雪崩電流 IAS:-20A
雪崩能量 EAS:20mJ
功耗(TA=25℃) PD:2.5W
功耗(TA=100℃) PD:1W
結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 Tj,Tstg:-55~+150℃
貼片MOS管 EMB14P03G的電特性(除非有特殊要求,TC=25℃):
參數(shù) | 符號(hào) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | V(BR)DSS | -30 | V | ||
柵極開啟電壓 | VGS(th) | -1 | -1.5 | -3 | |
柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±20V | IGSS | ±100 | nA | ||
柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±25V | ±500 | ||||
零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃ | -10 | ||||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-12A | RDS(ON) | 12 | 14 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-9A | 17 | 21 | |||
正向跨導(dǎo) | gfs | 28 | S | ||
輸入電容 | Ciss | 2270 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 342 | |||
反向傳輸電容 | Crss | 300 | |||
柵源電荷密度 | Qgs | 4.9 | nC | ||
柵漏電荷密度 | Qgd | 7.5 | |||
開啟延遲時(shí)間 | td(on) | 20 | nS | ||
開啟上升時(shí)間 | tr | 12 | |||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 55 | |||
開啟下降時(shí)間 | tf | 15 |
貼片MOS管 EMB14P03G的封裝外形尺寸:
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