MOS管2309 GM2309 P溝道MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-08-25 16:39:44點擊：6次

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  MOS管2309 GM2309 P溝道MOSFET

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM2309的引腳圖：

  

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM2309的極限值：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS -------------------------------------  -60V

  • 柵極-源極電壓 V_GS ----------------------------------------  ±20V

  • 漏極電流-連續(xù) I_D ------------------------------------------  -1.6A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM ----------------------------------------  -6A

  • 總耗散功率(T_A=25℃) P_D ----------------------------------  1000mW

  • 結(jié)溫 T_J -------------------------------------------------------  150℃

  • 存儲溫度 T_stg ------------------------------------------------  -55~+150℃
    

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM2309的電特性：

  如無特殊說明，T_A=25℃

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	-60			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1		-3
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			-1.2
  零柵壓漏極電流	IDSS			-10	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-1.8A,VGS=-10V	RDS(ON)		200	250	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-1.4A,VGS=-4.5V			240	300
  輸入電容	CISS		364		pF
  輸出電容	COSS		41
  開啟時間	t(on)		20		ns
  關(guān)斷時間	t(off)		5.2

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM2309的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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