MCR100-8參數(shù)及管腳 100-8單向可控硅
單向可控硅 MCR100-8的引腳圖:
單向可控硅 MCR100-8的應(yīng)用領(lǐng)域:
MCR100-8可控硅應(yīng)用于:脈沖點火器、負離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動、彩燈控制器、漏電保護器、吸塵器軟啟動...
單向可控硅 MCR100-8的特點:
PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件
門極靈敏觸發(fā)
P 型對通擴散隔離
臺面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:SOT-23-3L、SOT-89-3L、SOT-223-3L、TO-92
單向可控硅 MCR100-8的極限值(TCASE=25℃):
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VDRM/VRRM ------------------------------------- 600/800V
通態(tài)均方根電流 IT(RMS) ---------------------------------------------- 0.8A
通態(tài)平均電流 IT(AV) -------------------------------------------------- 0.5A
通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 ITSM ------------------------------------------- 8A
通態(tài)電流臨界上升率 dIT/dt ------------------------------------------ 50A/μs
門極峰值電流 IGM ---------------------------------------------------- 0.2A
門極峰值功率 PGM --------------------------------------------------- 0.5W
門極平均功率 PG(AV) ------------------------------------------------- 0.1W
存儲溫度 TSTG -------------------------------------------------------- -40~+150℃
工作結(jié)溫 Tj ------------------------------------------------------------ -40~+110℃
單向可控硅 MCR100-8的電特性:
門極觸發(fā)電流 IGT ------------------------------------------------- 10~200μA
門極觸發(fā)電壓 VGT ------------------------------------------------ 0.8V
門極不觸發(fā)電壓 VGD --------------------------------------------- 0.2V
維持電流 IH -------------------------------------------------------- 3mA
擎住電流 IL -------------------------------------------------------- 4mA
斷態(tài)電壓臨界上升率 dVD/dt -------------------------------------- 10V/μs
通態(tài)壓降 VTM ------------------------------------------------------ 1.5V
單向可控硅 MCR100-8的型號標識說明:
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