GMW2N20 貼片MOS管2N20 200V/2A場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-26 15:33:08點(diǎn)擊：6次

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  GMW2N20 貼片MOS管2N20 200V/2A場效應(yīng)管

  
  

  
  

  貼片MOS管 GMW2N20的特點(diǎn)：

  • 快速開關(guān)

  • 優(yōu)化電壓變率能力

  • 封裝形式：TO-252
    

  
  

  
  

  貼片MOS管 GMW2N20的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 開關(guān)電源

  • DC-DC 變換和不間斷電源

  • 脈寬調(diào)制電極控制

  • 功率因數(shù)校正
    

  
  

  
  

  貼片MOS管 GMW2N20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

  

  
  

  
  

  貼片MOS管 GMW2N20的極限值：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS ---------------------------------------------  200V

  • 柵極-源極電壓 V_GS ------------------------------------------------  ±30V

  • 漏極電流-連續(xù)(T_C=25℃) I_D ---------------------------------------  2A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM -------------------------------------------------  8A

  • 總耗散功率 P_TOT ---------------------------------------------------  10W

  • 熱阻 R_θJC ------------------------------------------------------------  13℃/W

  • 結(jié)溫/存儲溫度 T_J/T_stg -----------------------------------------------  -55~150℃
    

  
  

  
  

  貼片MOS管 GMW2N20的電特性：

  如無特殊說明，T_A=25℃

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓 ID=250uA,VGS=0V	BVDSS	200			V
  柵極開啟電壓 ID=250uA,VGS=VDS	VGS(th)	1	2	3
  零柵壓漏極電流 VGS=0V,VDS=200V	IDSS			1	uA
  柵極漏電流 VGS=±30V，VDS=0V	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=1A,VGS=10V	RDS(ON)		1.65	1.9	Ω
  漏極-源極電流	ISD			2	A
  內(nèi)附二極管正向壓降 ISD=2A,VGS=0V	VSD			1.4	V
  輸入電容 VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz	CISS		500		pF
  共源輸出電容 VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz	COSS		100
  反向傳輸電容 VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz	CRSS		20
  柵極電荷密度 VDS=160V,ID=1A,VGS=10V	Qg		13.5		nC
  柵源電荷密度 VDS=160V,ID=1A,VGS=10V	Qgs		2
  柵漏電荷密度 VDS=160V,ID=1A,VGS=10V	Qgd		6
  開啟延遲時(shí)間 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	td(on)		9		ns
  開啟上升時(shí)間 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	tr		22
  關(guān)斷延遲時(shí)間 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	td(off)		39
  開啟下降時(shí)間 VDS=100V,ID=1A,RGEN=25Ω,VGS=10V	tf		20

  
  

  
  

  貼片MOS管 GMW2N20的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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