MOS管20N02 低壓場效應(yīng)管 20N02 增強(qiáng)型N溝道MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-19 11:36:29點(diǎn)擊：6次

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  MOS管20N02 低壓場效應(yīng)管 20N02 增強(qiáng)型N溝道MOS管

  
  

  
  

  增強(qiáng)型N溝道MOS管 20N02的管腳圖：

  

  
  

  
  

  增強(qiáng)型N溝道MOS管 20N02的特點(diǎn)：

  • V_DS=20V

  • I_D=20A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：PDFN3X3-8L
    

  
  

  
  

  增強(qiáng)型N溝道MOS管 20N02的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  增強(qiáng)型N溝道MOS管 20N02的極限值：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	20	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±12
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	20	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	15
  IDM	漏極電流-脈沖	60
  PD	總耗散功率 TC=25℃	31	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	36	mJ
  TSTG	存儲溫度	-55~+175	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~+175
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	4.84	℃/W

  
  

  
  

  增強(qiáng)型N溝道MOS管 20N02的電特性：

  (如無特殊要求，T_J=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	20	22		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=25A		6.1	8	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=10A		8.8	13
  VGS(th)	柵極開啟電壓	0.4	0.7	1.1	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=20V，VGS=0V			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		19		nC
  Qgs	柵源電荷密度		3
  Qgd	柵漏電荷密度		6.4
  Ciss	輸入電容		1458		pF
  Coss	輸出電容		238
  Crss	反向傳輸電容		212
  td(on)	開啟延遲時間		10		ns
  tr	開啟上升時間		21
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		39
  tf	開啟下降時間		19

  
  

  
  

  增強(qiáng)型N溝道MOS管 20N02的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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