MOS管7N65 650V高壓MOS管 7N65 場效應(yīng)管引腳排列

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-17 18:17:54點擊：6次

• 
  

  MOS管7N65 650V高壓MOS管 7N65 場效應(yīng)管引腳排列

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的符號圖：

  

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的應(yīng)用：

  • 不間斷電源(UPS)

  • 功率因數(shù)補償(PFC)
    

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的特點：
  

  • V_DS=650V

  • I_D=7A

  • R_DS(ON)＜2.4Ω@V_GS=10V

  • 封裝：TO-220、TO-220F

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的極限參數(shù)：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	650	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±30
  ID	漏極電流-連續(xù)	7	A
  IDM	漏極電流-脈沖	28
  PD	總耗散功率 TC=25℃	63	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	198	mJ
  EAR	重復(fù)雪崩能量	40
  IAR	雪崩電流	3.5	A
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62.5	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	1.29

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的電特性：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	650			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A		1.1	1.35	Ω
  VGS(th)	柵極開啟電壓	3		4	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		22		nC
  Qgs	柵源電荷密度		4.3
  Qgd	柵漏電荷密度		13
  Ciss	輸入電容		891		pF
  Coss	輸出電容		110
  Crss	反向傳輸電容		14
  td(on)	開啟延遲時間		15		ns
  tr	開啟上升時間		18
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		80
  tf	開啟下降時間		35

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的參數(shù)特性曲線圖：

  (如無特殊要求，T_J=25℃)

  

  
  

  

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com