P溝道MOS管 EMB50P03J SOT-23 場效應(yīng)管50P03

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-11-27 13:57:19點擊：6次

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  P溝道MOS管 EMB50P03J SOT-23 場效應(yīng)管50P03

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMB50P03J的引腳圖：

  

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMB50P03J的極限值：

  (除非有特殊標注，T_A=25℃)
  

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃	ID	-4.5	A
  漏極電流-連續(xù) TA=70℃		-3.5
  漏極電流-脈沖	IDM	-18
  功耗 TA=25℃	PD	1.25	W
  功耗 TA=70℃		0.83
  工作結(jié)溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMB50P03J的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  柵極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導通能夠電阻 VGS=-10V,ID=-4.5A	RDS(ON)		42	50	mΩ
  靜態(tài)漏源導通能夠電阻 VGS=-4.5V,ID=-3.5A			66	85
  正向跨導	gfs		16		S
  輸入電容	Ciss		820		pF
  輸出電容	Coss		122
  反向傳輸電容	Crss		97
  柵極總電荷	Qg		9		nC
  柵源電荷密度	Qgs		2.2
  柵漏電荷密度	Qgd		2.5
  開啟延遲時間	td(on)		12		nS
  開啟上升時間	tr		16
  關(guān)斷延遲時間	td(off)		34
  開啟下降時間	tf		20

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMB50P03J的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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