貼片MOS管 20N15 TO-252 中低壓場效應管 20N15

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-11-26 11:08:17點擊：6次

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  貼片MOS管 20N15 TO-252 中低壓場效應管 20N15

  
  

  
  

  貼片MOS管 20N15的引腳圖：

     

  
  

  
  

  貼片MOS管 20N15的應用領域：
  

  • 電池保護

  • 負載開關

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  貼片MOS管 20N15的極限值(如無特殊說明，T_C=25℃)：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	150	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	20	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	14
  	漏極電流-連續(xù) TA=25℃	3
  	漏極電流-連續(xù) TA=70℃	2.5
  IDM	漏極電流-脈沖	40
  EAS	單脈沖雪崩能量	53	mJ
  IAS	雪崩電流	18	A
  PD	功耗 TC=25℃	72.6	W
  	功耗 TA=25℃	2.1
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150

  
  

  
  

  貼片MOS管 20N15的電特性：

  符號	參數(shù)	最小值	典型值	最大值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	150			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=10A		95	105	mΩ
  	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=10A		105	115
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1.2		2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導		33		S
  Qg	柵極總電荷		25.1		nC
  Qgs	柵源電荷密度		6.8
  Qgd	柵漏電荷密度		12.6
  Td(on)	開啟延遲時間		13		ns
  Tr	開啟上升時間		8.2
  Td(off)	關斷延遲時間		25
  Tf	開啟下降時間		11
  Ciss	輸入電容		2285		pF
  Coss	輸出電容		110
  Crss	反向傳輸電容		83

  
  

  
  

  貼片MOS管 20N15的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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