100V場效應管 EMDA0P10G SOP-8 貼片P溝道MOS管
100V場效應管 EMDA0P10G的引腳圖：
100V場效應管 EMDA0P10G的引腳圖：
(如無特殊要求，TA=25℃)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | BVDSS | -100 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | |
漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | ID | -3.4 | A |
漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | -2.7 | ||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | -13.6 | |
| 功耗 TA=25℃ | PD | 2.5 | W |
| 功耗 TA=70℃ | 1.6 | ||
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
100V場效應管 EMDA0P10G的電特性：
(如無特殊要求，TJ=25℃)
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 柵極-源極擊穿電壓 | V(BR)DSS | -30 | V | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | -2 | -3 | -4 | |
| 柵極漏電流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=-80V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=-70V,VGS=0V,TJ=125℃ | -10 | ||||
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-3.4A | RDS(ON) | 105 | 120 | mΩ | |
| 正向跨導 | gfs | 8 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | 3520 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 132 | |||
| 反向傳輸電容 | Crss | 115 | |||
| 總柵極電荷 | Qg | 59 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 14 | |||
| 柵漏電荷密度 | Qgd | 11 | |||
| 開啟延遲時間 | td(on) | 15 | ns | ||
| 開啟上升時間 | tr | 45 | |||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 50 | |||
| 開啟下降時間 | tf | 50 |
100V場效應管 EMDA0P10G的封裝外形尺寸：
聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術支持新聞資訊關于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
