30V超低內(nèi)阻MOS管 EMB03N03V EDFN3X3 低壓MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-10 10:01:29點(diǎn)擊：6次

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  30V超低內(nèi)阻MOS管 EMB03N03V EDFN3X3 低壓MOSFET

  
  

  
  

  30V超低內(nèi)阻MOS管 EMB03N03V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  30V超低內(nèi)阻MOS管 EMB03N03V的極限值：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)
  

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	37	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		25
  漏極電流-脈沖	IDM	148
  雪崩電流	IAS	37
  雪崩能量	EAS	68.4	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	34.2
  功耗 TC=25℃	PD	21	W
  功耗 TC=100℃		8.3
  功耗 TA=25℃		2.5
  功耗 TA=100℃		1
  工作結(jié)溫和存儲溫度范圍	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  30V超低內(nèi)阻MOS管 EMB03N03V的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	1.5	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V,TJ=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=18A	RDS(ON)		2.5	3	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=14A			3	4
  正向跨導(dǎo)	gfs		25		S
  輸入電容	Ciss		2979		pF
  輸出電容	Coss		381
  反向傳輸電容	Crss		224
  柵源電荷密度	Qgs		8.3		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		46.5
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		15		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		10
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		50
  開啟下降時(shí)間	tf		10

  
  

  
  

  30V超低內(nèi)阻MOS管 EMB03N03V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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