30VN溝道MOS管 EMB12N03H EDFN 5X6 貼片MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-10-12 11:06:59點(diǎn)擊：6次

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  30VN溝道MOS管 EMB12N03H EDFN 5X6 貼片MOSFET

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 EMB12N03H的引腳圖：

  

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 EMB12N03H的極限值：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	25	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		20
  漏極電流-脈沖	IDM	100
  雪崩電流	IAS	30
  雪崩能量	EAS	45	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	22.5
  功耗 TC=25℃	PD	35	W
  功耗 TC=100℃		14
  結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度范圍	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 EMB12N03H的熱阻：
  

  • 結(jié)到管殼的熱阻：3.5℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻：62℃/W
    

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 EMB12N03H的電特性：
  

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	1.7	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A	RDS(ON)		9.7	11.5	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A			17	23
  正向跨導(dǎo)	gfs		15		S
  輸入電容	Ciss		762		pF
  輸出電容	Coss		150
  反向傳輸電容	Crss		130
  柵源電荷密度	Qgs		2.1		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		6.5
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		8		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		6
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		18
  開啟下降時(shí)間	tf		3

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 EMB12N03H的封裝外形尺寸：
  

  

  
  

  
  

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