小封裝場效應管 EMF44P12V EDFN3X3 P溝道MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-10-10 15:03:30點擊：6次

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  小封裝場效應管 EMF44P12V EDFN3X3 P溝道MOS管

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P12V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P12V的極限值：

  (除非有特殊說明，T_C=25℃)
  

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS ----------------------------------------------  -20V

  • 柵極-源極電壓 V_GS -------------------------------------------------  ±12V

  • 漏極電流-連續(xù)(T_A=25℃)  I_D ---------------------------------------  -9.5A

  • 漏極電流-連續(xù)(T_A=70℃)  I_D ---------------------------------------  -7.2A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM --------------------------------------------------  -38A

  • 功耗(T_A=25℃) P_D ---------------------------------------------------  2.5W

  • 功耗(T_A=70℃) P_D ---------------------------------------------------  1.25W

  • 結溫和存儲溫度 T_j，T_stg --------------------------------------------  -55~150℃
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P12V的電特性：

  (除非有特殊說明，T_A=25℃)

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-0.3	-0.75	-1.2
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-5A	RDS(ON)		37	44	mΩ
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-4A			55	70
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-1.8V,ID=-1A			65	90
  正向跨導	gfs		14		S
  輸入電容	Ciss		679		pF
  輸出電容	Coss		124
  反向傳輸電容	Crss		106
  柵源電荷密度	Qgs		2.2		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		4.1
  開啟延遲時間	td(on)		10		nS
  開啟上升時間	tr		18
  關斷延遲時間	td(off)		32
  開啟下降時間	tf		22

  
  

  
  

  P溝道MOS管 EMF44P12V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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