可控硅T410 TO-252 雙向可控硅 T410引腳圖

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-10-07 10:39:45點(diǎn)擊：6次

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  可控硅T410 TO-252 雙向可控硅 T410引腳圖

  
  

  
  

  雙向可控硅 T410的引腳圖：

  

  
  

  
  

  雙向可控硅 T410的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 加熱控制器

  • 馬達(dá)調(diào)速控制器

  • 麻將機(jī)

  • 攪拌機(jī)

  • 直發(fā)器

  • 面包機(jī)等家用電器
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 T410的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM -------------------------------------  600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) ---------------------------------------------  4A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM -------------------------------------------  30A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt ------------------------------------------  50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ----------------------------------------------------  4A

  • 門極峰值功率 P_GM ---------------------------------------------------  4W

  • 門極平均功率 P_G(AV) -------------------------------------------------  1W

  • 存儲溫度 T_STG --------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j -----------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 T410的電特性：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤10	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤15	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤25
  	擎住電流 II	≤30
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥40	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55	V

  
  

  
  

  雙向可控硅 T410的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

  雙向可控硅 T410的封裝形式：

  

  
  

  
  

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