半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。那么達(dá)林頓芯片半導(dǎo)體元器件制造工藝及缺陷？
1、芯片加工中的缺陷與成品率預(yù)測(cè)
芯片制造缺陷的分類：
全局缺陷：光刻對(duì)準(zhǔn)誤差、工藝參數(shù)隨機(jī)起伏、線寬變化等；在成熟、可控性良好的工藝線上，可減少到極少，甚至幾乎可以消除。
局域缺陷：氧化物針孔等點(diǎn)缺陷，不可完全消除，損失的成品率更高。
點(diǎn)缺陷：冗余物、丟失物、氧化物針孔、結(jié)泄漏。
來(lái)源：灰塵微粒、硅片與設(shè)備的接觸、化學(xué)試劑中的雜質(zhì)顆粒。
2、混合集成電路的失效
混合集成電路工藝：
IC工藝：氧化、擴(kuò)散、鍍膜、光刻等。
厚膜工藝：基板加工、制版、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、激光調(diào)阻、分離元器件組裝等。
薄膜工藝：基板加工、制版、薄膜制備、光刻、電鍍等。
失效原因：
元器件失效：31%。
互連失效：23%。
引線鍵合失效、芯片粘結(jié)不良等沾污失效：21%
關(guān)于混合集成電路：
按制作工藝，可將集成電路分為：
（1）半導(dǎo)體集成電路（基片：半導(dǎo)體）
即：?jiǎn)纹呻娐罚ü腆w電路）
工藝：半導(dǎo)體工藝（擴(kuò)散、氧化、外延等）
（2）膜集成電路（基片：玻璃、陶瓷等絕緣體）
工藝：
薄膜集成電路——真空蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積技術(shù)
厚膜集成電路——漿料噴涂在基片上、經(jīng)燒結(jié)而成（絲網(wǎng)印刷技術(shù)）
3、混合集成電路（Hybrid Integrated Circuit）
特點(diǎn)：充分利用半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路各自的優(yōu)點(diǎn)，達(dá)到優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的目的；
工藝：用膜工藝制作無(wú)源元件，用半導(dǎo)體IC或晶體管制作有源器件。
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