雙向可控硅的基本概念
“雙向可控硅”： 是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。
一、雙向可控硅的產(chǎn)品分類
可控硅有多種分類方法。
（一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
二、雙向可控硅的常用封裝
常用的封裝有：TO-220A、TO-220B、TO-220C、TO-220F、TO-252、TO-3P、TO-263、TO-92、SOT-89-3L、SOT-23-3L、SOT-223-3L、TO-126、TO-126P 等等…
三、雙向可控硅的導通和關(guān)斷條件
| 狀態(tài) | 條件 | 說明 |
| 從關(guān)斷到導通 | 1、主端子T1和主端子T2之間電位差 2、控制極有足夠的觸發(fā)電壓和電流 | 兩者缺一不可 |
| 維持導通 | 1、主端子T1和主端子T2之間電位差 2、通態(tài)電流大于維持電流 | 兩者缺一不可 |
| 從導通到關(guān)斷 | 通態(tài)電流小于維持電流 | 必備條件 |
四、雙向可控硅的觸發(fā)模式
電路的觸發(fā)模式
三端雙向可控硅開關(guān)可通過施加正的或負的柵極信號打開。三端雙向可控硅開關(guān)在施加正向或反向電壓時均可通過柵極信號打開。三端雙向可控硅開關(guān)可按下面四種模式用柵極信號觸發(fā)。
五、雙向可控硅的保護措施
晶閘管元件的主要弱點是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也可能導致晶閘管的損壞，所以必須對它采用適當?shù)谋Ｗo措施。
1. 過電流保護
晶閘管出現(xiàn)過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護有以下幾種：
快速容斷器 快速容斷器中的溶絲是銀質(zhì)的，只要選用適當，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在晶閘管損壞前先溶斷，從而保護了晶閘管。
過電流繼電器 當電流超過過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器就會動作，切斷保護電路。但由于繼電器動作到切斷電路需要一定時間，所以只能用作晶閘管的過載保護。
過載截止保護 利用過電流的信號將晶閘管的觸發(fā)信號后移，或使晶閘管得導通角減小，或干脆停止觸發(fā)保護晶閘管。
2. 過電壓保護
過電壓可能導致晶閘管的擊穿，其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或晶閘管在導通與截止間的轉(zhuǎn)換。對過壓保護可采用兩種措施
阻容保護 阻容保護是電阻和電容串聯(lián)后，接在晶閘管電路中的一種過電壓保護方式，其實質(zhì)是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場儲能以及電阻使耗能元件的特性，把過電壓的能量變成電場能量儲存在電場中，并利用電阻把這部分能量消耗掉。
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