低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別是什么?如何分類?
一、MOS的構(gòu)造
MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN 型)增強(qiáng)型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。
同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。圖1-1所示(a )、(b)分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。
二、MOS管的分類
MOSFET是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
MOS管的分類方法有多種分類方法:
1、 按電壓分類
可分為中低壓mos管和高壓mos管
2、按功率分類
可分為大功率、中功率和小功率mos管
3、 可分為結(jié)型管和絕緣柵型
(1)、結(jié)型管(JFET):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
(2)、絕緣柵型:絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道,它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
4、按溝道分類
可分為N溝道和P溝道管(在符號(hào)圖中可看到中間的箭頭方向不一樣)。
三、MOS管的區(qū)別
低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別:高壓mos管電壓在400V~1000V左右,低壓mos管在1~40V左右。
以上描述僅供參考,希望可以幫助到您
聲明:本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時(shí)和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請(qǐng)電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;郵箱:limeijun@yushin88.com