80VN溝道MOS管 FIR98N08PG TO-220 金屬增強型MOSFET
FIR98N08PG的極限值:
參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 80 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 98 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 70 | ||
漏極電流-脈沖 | IDM | 520 | |
功耗 | PD | 180 | W |
單脈沖雪崩能量 | EAS | 800 | mJ |
工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | TJ,Tstg | -55~175 | ℃ |
FIR98N08PG的電特性:
參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | 86 | V | |
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=80V,VGS=0V | 1 | μA | ||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 6.5 | 8 | mΩ | |
正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=25V,ID=40A | 80 | S | ||
輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 5500 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 880 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 190 | ||||
開啟延遲時間 | td(on) | VDD=38V,ID=40A VGS=10V,RGEN=2.5Ω | 12 | nS | ||
開啟上升時間 | tr | 150 | ||||
關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 150 | ||||
開啟下降時間 | tf | 130 | ||||
柵源電荷密度 | Qgs | VDS=60V,ID=40A,VGS=10V | 35 | nC | ||
柵漏電和密度 | Qgd | 55 |
FIR98N08PG的封裝外形尺寸: