插件中低壓MOS管 FIR40N10PG TO-220 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
FIR40N10PG的極限值：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 100 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
| 漏極電流-連續(xù) | ID | 40 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ 漏極電流-脈沖 | 28 | ||
| IDM | 160 | ||
| 功耗 | PD | 140 | W |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 520 | mJ |
| 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR40N10PG的電特性：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | V | |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開(kāi)啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=28A | 54 | 57 | mΩ | |
| 正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=25V,ID=28A | 26 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=30V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1500 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 290 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 221 | ||||
| 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V | 15 | nS | ||
| 開(kāi)啟上升時(shí)間 | tr | 11 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 52 | ||||
| 開(kāi)啟下降時(shí)間 | tf | 13 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | ID=30A,VDD=30V,VGS=10V | 16 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 24 |
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