貼片增強(qiáng)型場效應(yīng)管 FIR24N20ALG TO-252 200V/24A 中低壓功率MOS管
FIR24N20ALG的極限值:
參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 200 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 24 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 17 | ||
漏極電流-脈沖 | IDM | 100 | |
功耗 | PD | 150 | W |
單脈沖雪崩能量 | EAS | 250 | mJ |
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR24N20ALG的電特性:
參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 200 | 220 | V | |
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=200V,VGS=0V | 1 | μA | ||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=15A | 62 | 80 | mΩ | |
正向跨導(dǎo) | gfs | VDS=50V,ID=15A | 30 | S | ||
輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 4180 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 162 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 73 | ||||
開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=100V,ID=15A VGS=10V,RGEN=2.5Ω | 10 | nS | ||
開啟上升時(shí)間 | tr | 18 | ||||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 22 | ||||
開啟下降時(shí)間 | tf | 5 | ||||
柵源電荷密度 | Qgs | VDS=100V,ID=15A,VGS=10V | 19 | nC | ||
柵漏電和密度 | Qgd | 17 |
FIR24N20ALG的封裝外形尺寸: