P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET FIR15P055BPG TO-251 中低壓功率MOS管
FIR15P055BPG的極限值：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | -55 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | |
| 漏極電流-連續(xù) | ID | -15 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -10 | ||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | -50 | |
| 功耗 | PD | 50 | W |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 110 | mJ |
| 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
FIR15P055BPG的電特性：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | -55 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=-55V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250μA | -1.5 | -2.6 | -3.5 | V |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=5A | 60 | 75 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=-20V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1450 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 145 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 110 | ||||
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=-30V,RL=30Ω VGS=-10V,RGEN=6Ω | 8 | nS | ||
| 開啟上升時(shí)間 | tr | 9 | ||||
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 65 | ||||
| 開啟下降時(shí)間 | tf | 30 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=-30V,ID=-5A,VGS=10V | 4.5 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 7 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
