650VN溝道場效應(yīng)管 FIR8N65FG-T TO-220F 高壓功率MOS管
FIR8N65FG-T的極限值:
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
VDSS | 漏極-源極電壓 | 650 | V | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | TC=25℃ | 7.0 | A |
TC=100℃ | 3.2 | |||
VGS [±V] | 柵極-源極電壓 | ±30 | V | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 230 | mJ | |
IAR | 雪崩電流 | 7.0 | A | |
PD | 功耗(Tj=25℃) | 40 | W | |
Tj | 工作溫度范圍 | 150 | ℃ | |
Tstg | 存儲溫度范圍 | -55~+150 | ||
TL | 最大焊接溫度 | 300 |
FIR8N65FG-T的電特性:
符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | ID=250μA,VGS=0 | 650 | V | ||
IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=650V,VGS=0V | 1 | μA | ||
VDS=520V,Tj=125℃ | 10 | |||||
VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | ID=250μA,VDS=VGS | 2 | 4 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | ID=3.5A,VGS=10V | 1.30 | Ω | ||
Ciss | 輸入電容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 955 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 100 | ||||
Crss | 反向傳輸電容 | 12 | ||||
td(on) | 開啟延遲時間 | VDD=325V,ID=7A RG=25Ω | 20 | 50 | ns | |
tr | 開啟上升時間 | 50 | 100 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 90 | 190 | |||
tf | 開啟下降時間 | 55 | 120 | |||
Qgs | 柵源電荷密度 | VDS=520V,VGS=10V,ID=7A | 4.5 | nC | ||
Qgd | 柵漏電和密度 | 12 |