FIR7N65FG-Y TO-220F 塑封插件場效應管 Y版增強型功率MOSFET
FIR7N65FG-Y的極限值:
參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 | |
漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V | |
柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V | |
漏極電流-連續(xù) | TC=25℃ | ID | 7.0 | A |
TC=100℃ | 4.4 | |||
漏極電流-脈沖 | IDM | 28 | ||
功耗 | PD | 35 | W | |
雪崩能量 | EAS | 350 | mJ | |
工作溫度范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
存儲溫度范圍 | Tstg | -55~+150 |
FIR7N65FG-Y的熱阻:
參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.57 | ℃/W |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 120 |
FIR7N65FG-Y的電特性:
參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | 25℃,VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
零柵壓漏極電流 | IDSS | 25℃,VDS=650V,VGS=0V | 1 | uA | ||
125℃,VDS=520V,VGS=0V | 10 | |||||
150℃,VDS=520V,VGS=0V | 100 | |||||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VGS=VDS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=2A | 1.25 | 1.5 | Ω | |
輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz | 1130 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 93 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 5.5 | ||||
開啟延遲時間 | td(on) | VDD=325V,ID=4.0A,RG=10Ω | 19 | ns | ||
開啟上升時間 | tr | 21 | ||||
關斷延遲時間 | td(off) | 42 | ||||
開啟下降時間 | tf | 19 | ||||
柵源電荷密度 | Qgs | VDS=520V,ID=4.0A,VGS=10V | 5.1 | nC | ||
柵漏電和密度 | Qgd | 9.5 |
FIR7N65FG-Y的封裝外形尺寸: