FIR5N60LG 高壓N溝道場效應(yīng)管 TO-252 T版福斯特MOSFET
高壓功率MOS管FIR5N60LG的極限值：
（如無特殊說明，Ta=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 600 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±30 | V |
漏極電流-連續(xù) TJ=25℃ | ID | 4.5 | A |
漏極電流-連續(xù) TJ=100℃ | 2.5 | ||
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 212 | mJ |
| 雪崩電流 | IAR | 4 | A |
| 功耗(TJ=25℃) | PD | 50 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~+150 |
高壓功率MOS管FIR5N60LG的電特性：
（如無特殊說明，Ta=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 600 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=600V,VGS=0V | 10 | μA | ||
| VDS=480V,TJ=125℃ | 100 | |||||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=2A | 2.5 | Ω | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz | 615 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 58.8 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 6.18 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=300V,ID=4A,RG=25Ω | 13 | 35 | nS | |
| 開啟上升時間 | tr | 45 | 100 | |||
| 關(guān)斷延遲時間 | td(off) | 20 | 60 | |||
| 開啟下降時間 | tf | 35 | 80 | |||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=480V,ID=4A,VGS=10V | 13.3 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 3.4 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 7.1 |
高壓功率MOS管FIR5N60LG的封裝外形尺寸：
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
