福斯特場效應(yīng)管型號 FIR4N70BPG-M TO-251 700VN溝道MOSFET
FIR4N70BPG-M的極限值：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDSS | 漏極-源極電壓 | 700 | V |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 4 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 2.5 | ||
| IDMa1 | 漏極電流-脈沖 | 28 | A |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | V |
| EASa2 | 單脈沖雪崩能量 | 196 | mJ |
| PD | 功耗 | 75 | W |
| TJ,Tstg | 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | 150，-55~+150 | ℃ |
| TL | 最大焊接溫度 | 300 |
FIR4N70BPG-M的熱阻：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.67 | ℃/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 110 |
FIR4N70BPG-M的電特性：
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| VDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | VGS=0V,ID=250μA | 700 | V | ||
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=700V,VGS=0V,Ta=25℃ | 1 | μA | ||
| VDS=560V,VGS=0V,Ta=125℃ | 100 | |||||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | VGS=10V,ID=2A | 2.55 | 3.0 | mΩ | |
| VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | VDS=VGS,ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | |
| gfs | 正向跨導(dǎo) | VDS=15V,ID=2A | 3.7 | S | ||
| Ciss | 輸入電容 | VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz | 606 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 48 | ||||
| Crss | 反向傳輸電容 | 2.7 | ||||
| td(on) | 開啟延遲時間 | ID=4A VDD=350V RG=10 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 15 | ||||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 30 | ||||
| tf | 開啟下降時間 | 9 | ||||
| Qgs | 柵源電荷密度 | ID=4A VDD=560V VGS=10V | 3.0 | nC | ||
| Qgd | 柵漏電和密度 | 5.1 |
FIR4N70BPG-M的封裝外形尺寸：
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