福斯特場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格 FIR4N60FG-D TO-220F 600V/4A高壓MOSFET
FIR4N60FG-D的極限值:
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
VDSS | 漏極-源極電壓 | 600 | V | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | Tj=25℃ | 4 | A |
Tj=100℃ | 2.5 | |||
VGS [±V] | 柵極-源極電壓 | ±30 | V | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 128 | mJ | |
IAR | 雪崩電流 | 4 | A | |
PD | 功耗 | 36 | W | |
Tj | 最大工作結(jié)溫 | 150 | ℃ | |
Tstg | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ||
TL | 最大焊接溫度 | 300 |
FIR4N60FG-D的電特性:
符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | ID=250μA,VGS=0 | 600 | V | ||
IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=600V,VGS=0V | 10 | μA | ||
VDS=480V,Tj=125℃ | 100 | |||||
VGS(TH) | 柵極開(kāi)啟電壓 | ID=250μA,VGS=VGS | 2 | 4 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | ID=2A,VGS=10V | 2.3 | Ω | ||
Ciss | 輸入電容 | VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz | 620 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 70 | ||||
Crss | 反向電容 | 8 | ||||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | VDD=300V,ID=4A RG=25Ω | 13 | 35 | ns | |
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 45 | 100 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 | 60 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 35 | 80 | |||
Qgs | 柵源電荷密度 | VDS=480V,VGS=10V,ID=4A | 3.4 | nC | ||
Qgd | 柵漏電和密度 | 7.1 |
FIR4N60FG-D的封裝外形尺寸: