30VN+P溝道MOS管 30G03 PDFN5X6-8L 貼片式場(chǎng)效應(yīng)管 國(guó)產(chǎn)N+PMOS管
30VN+P溝道MOS管 30G03的產(chǎn)品特點(diǎn):
1、N-CH:
VDS=30V
ID=38A
RDS(ON)<12mΩ@VGS=10V(Type:8mΩ)
2、P-CH:
VDS=-30V
ID=-35A
RDS(ON)<16mΩ@VGS=-10V(Type:12mΩ)
30VN+P溝道MOS管 30G03的引腳圖:
30VN+P溝道MOS管 30G03的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
N-CH | P-CH | |||
VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 38 | -35 | A |
漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 21 | -18.1 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 90 | -85 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 22 | 22 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 28 | 23 | A |
PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 46 | 46 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 60 | 60 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 |