中低壓NMOS管80N25 TO-220 插件MOSFET 250V/80A 國產(chǎn)MOS場效應管
中低壓NMOS管80N25的主要參數(shù):
電壓 VDS:250V
電流 ID:80A
內(nèi)阻 RDS(ON):20mΩ@VGS=10V(Type:18mΩ)
中低壓NMOS管80N25的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 250 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 80 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 330 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 2000 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 45 | A |
PD | 總耗散功率 | 278 | W |
RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 40 | ℃/W |
RθJC | 結到管殼的熱阻 | 0.5 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結溫 | -55~150 |
中低壓NMOS管80N25的電特性:
(如無特殊說明,Tc=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 250 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 18 | 20 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.5 | 4.5 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 136 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 52 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 25 | |||
Ciss | 輸入電容 | 10602 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 8.1 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 270 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 54.5 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 24.2 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 73.6 | |||
tf | 開啟下降時間 | 15.6 |