50N20 TO-263 200V國產(chǎn)MOS管 貼片中低壓MOS管 電源用場效應(yīng)管
200V國產(chǎn)MOS管50N20的主要參數(shù):
電壓 VDS=200V
電流 ID:50A
內(nèi)阻 RDS(ON):55mΩ@VGS=10V(Type:48mΩ)
200V國產(chǎn)MOS管50N20的應(yīng)用領(lǐng)域:
不間斷電源(UPS)
功率因數(shù)校正(PFC)
200V國產(chǎn)MOS管50N20的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 200 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) | 50 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 200 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 800 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 28 | A |
PD | 總耗散功率 | 158 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 40 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.79 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
200V國產(chǎn)MOS管50N20的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=14A | 48 | 55 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 103 | 136 | nC | |
Qgs | 柵源電荷密度 | 16 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 53 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2879 | 3742 | pF | |
Coss | 輸出電容 | 362 | 470 | ||
Crss | 反向傳輸電容 | 81 | 105 | ||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 28 | 69 | ns | |
tr | 開啟上升時(shí)間 | 251 | 494 | ||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 309 | 617 | ||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 220 | 412 |