30VN+N溝道MOS管 6H03 SOT23-6 雙N溝道MOSFET 30V低壓場效應(yīng)管
30VN+N溝道MOS管 6H03的主要參數(shù):
VDS=30V
ID=6.2A
RDS(ON)<35mΩ@VGS=10V(Type:27mΩ)
RDS(ON)<38mΩ@VGS=4.5V(Type:29mΩ)
30VN+N溝道MOS管 6H03的應(yīng)用領(lǐng)域:
電池保護
負載開關(guān)
UPS 不間斷電源
30VN+N溝道MOS管 6H03的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 6.2 | A |
漏極電流-連續(xù) (TA=70℃) | 3.1 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | 16 | |
PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 80 | |
TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
30VN+N溝道MOS管 6H03的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=4A | 27 | 35 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=3A | 29 | 38 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=3A | 36 | 54 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.85 | 1.3 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 9.1 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.1 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.8 | |||
Ciss | 輸入電容 | 507 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 52 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 43 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 3 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 2.8 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 25 | |||
tf | 開啟下降時間 | 4 |