國(guó)產(chǎn)替換MOS管 15P15 TO-252 電源場(chǎng)效應(yīng)管 150VPMOS管
國(guó)產(chǎn)替換MOS管 15P15的主要參數(shù):
電壓VDS:-150V
電流ID:-15A
內(nèi)阻RDS(ON)<320mΩ@VGS=10V(Type:270mΩ)
國(guó)產(chǎn)替換MOS管 15P15的極限值:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | -150 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | -15 | A |
漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | -7.2 | ||
IDM | 漏極電流-脈沖 | -45 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 102 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 10 | A |
PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 52 | W |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.9 | |
TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
國(guó)產(chǎn)替換MOS管 15P15的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TJ=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -150 | -175 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-3A | 270 | 320 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-6V,ID=-2A | 300 | 500 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -2 | -3 | -4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 19.5 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 4.8 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
Ciss | 輸入電容 | 880 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 50 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 35 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 8 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 9 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 23 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 8 |